絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是在金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)和雙極晶體管(Bipolar)基礎上發展起來的一種新型復合功率器件，具有MOS輸入、雙極輸出功能。IGBT集Bipolar器件通態壓降小、載流密度大、耐壓高和功率MOSFET驅動功率小、開關速度快、輸入阻抗高、熱穩定性好的優點于一身。作為電力電子變換器的核心器件，為應用裝置的高頻化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基礎。

    自IGBT商業化應用以來，作為新型功率半導體器件的主型器件，IGBT在1—100kHz的頻率應用范圍內占據重要地位，其電壓范圍為600V—6500V，電流范圍為1A—3600A(140mm x 190mm模塊)。

    從應用的角度來說，由IGBT芯片組成的IGBT器件、模塊、組件以及系統裝置有著極強的應用范圍，小到我們日常所見的變頻空調、變頻冰箱、吸塵器，大到軌道交通車輛、智能電網、航空航天、船舶驅動、新能源裝備、新能源汽車等高端產業，可以說，凡是有電的地方，都可以看到它IGBT的身影，特別是在涉及國家經濟安全、國防安全戰略性產業領域，高功率等級的IGBT尤為關鍵，在某種程度上，該技術成為衡量一個國家的技術水平和制造能力重要指標之一，成為國家掌握核心技術，不受制于人的“大國重器”。

     與此同時，IGBT強大的功能決定它也是節能減排產業中不可或缺的關鍵技術。初步估算，如果將IGBT等電力電子技術應用到全國20%的電機中，可以使其電能使用效率提高15%—30%，每年可節約用電2000億千瓦時，相當20個三峽電站的年發電量。